BFR183W. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BFR183W
Маркировка: RHs
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.065 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: SOT223
Аналоги (замена) для BFR183W
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BFR183W даташит
bfr183w.pdf
BFR 183W NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector current from 2 mA to 30mA fT = 8 GHz F = 1.2 dB at 900 MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFR 183W RHs Q62702-F1493 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Uni
bfr183w.pdf
isc Silicon NPN RF Transistor BFR183W DESCRIPTION High Power Gain High Current Gain Bandwidth Product Low Noise Figure Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for RF frontend in wideband applications in the GHz range,such as analog and digital cellular telephones, cordless telephones(CT1, CT2,DEC, etc.). ABSOL
bfr183.pdf
BFR 183 NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector current from 2 mA to 30mA fT = 8 GHz F = 1.2 dB at 900 MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFR 183 RHs Q62702-F1316 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit
bfr183.pdf
BFR183 Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA fT = 8 GHz, NFmin = 0.9 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101 available ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin Configuration Packag
Другие транзисторы: BFR181, BFR181T, BFR181W, BFR182, BFR182T, BFR182W, BFR183, BFR183T, TIP42, BFR18R, BFR19, BFR193, BFR194, BFR20, BFR21, BFR22, BFR23
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor



