2N3053 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3053  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3053

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3053 даташит

 ..1. Size:483K  rca
 2n3053 40053.pdf pdf_icon

2N3053

 ..2. Size:69K  cdil
 2n3053 a.pdf pdf_icon

2N3053

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N3053 / 2N3053A TO-39 Metal Can Package General Purpose Transistors ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL 2N3053 2N3053A UNIT Collector Emitter Voltage VCEO 40 60 V Collector Base Voltage VCBO 60 80 V Emitter Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Current Continu

 0.1. Size:77K  central
 2n3053-a.pdf pdf_icon

2N3053

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 0.2. Size:10K  semelab
 2n3053smd.pdf pdf_icon

2N3053

2N3053SMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 40V IC = 0.7A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N3045, 2N3046, 2N3047, 2N3048, 2N3049, 2N3050, 2N3051, 2N3052, D880, 2N3053A, 2N3053L, 2N3053S, 2N3053SM, 2N3054, 2N3054A, 2N3054S, 2N3055