Справочник транзисторов. 2N3053

 

Биполярный транзистор 2N3053 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N3053
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO5
 

 Аналог (замена) для 2N3053

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3053 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:483K  rca
2n3053 40053.pdfpdf_icon

2N3053

 ..2. Size:69K  cdil
2n3053 a.pdfpdf_icon

2N3053

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N3053 / 2N3053ATO-39Metal Can PackageGeneral Purpose TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL 2N3053 2N3053A UNITCollector Emitter Voltage VCEO 40 60 VCollector Base Voltage VCBO 60 80 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Current Continu

 0.1. Size:77K  central
2n3053-a.pdfpdf_icon

2N3053

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 0.2. Size:10K  semelab
2n3053smd.pdfpdf_icon

2N3053

2N3053SMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 40V IC = 0.7A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26

Другие транзисторы... 2N3045 , 2N3046 , 2N3047 , 2N3048 , 2N3049 , 2N3050 , 2N3051 , 2N3052 , D882P , 2N3053A , 2N3053L , 2N3053S , 2N3053SM , 2N3054 , 2N3054A , 2N3054S , 2N3055 .

 

 
Back to Top

 


 
.