BFR36. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFR36

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для BFR36

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFR36 даташит

 0.1. Size:1705K  infineon
 bfr360f.pdf pdf_icon

BFR36

 0.2. Size:606K  infineon
 bfr360l3.pdf pdf_icon

BFR36

BFR360L3 Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor Low voltage/ Low current operation For low noise amplifiers For Oscillators up to 3.5 GHz and Pout > 10 dBm Low noise figure 1.0 dB at 1.8 GHz Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free thin small leadless package Qualification report according to AEC-Q101 available ESD (Electrostatic discharge) sensitive device,

Другие транзисторы: BFR280, BFR280W, BFR34, BFR34A, BFR35, BFR35A, BFR35AP, BFR35AR, 2SD669, BFR36A, BFR37, BFR38, BFR39, BFR39TO5, BFR40, BFR40TO5, BFR41