BFR96S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFR96S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO51

 Аналоги (замена) для BFR96S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFR96S даташит

 9.1. Size:98K  motorola
 bfr96rev.pdf pdf_icon

BFR96S

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BFR96/D The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor BFR96 The BFR96 transistor uses the same state of the art microwave transistor chip which features fine line geometry, ion implanted arsenic emitters and gold top metallization. This transistor is intended for low to medium power amplifiers requiring hi

Другие транзисторы: BFR93AR, BFR93L, BFR93P, BFR93R, BFR94, BFR95, BFR96, BFR96H, 2N2907, BFR96T, BFR97, BFR98, BFR99, BFR99A, BFS10, BFS11, BFS12