BFS483 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFS483

Маркировка: RHs

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.065 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для BFS483

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFS483 даташит

 ..1. Size:53K  siemens
bfs483.pdfpdf_icon

BFS483

BFS 483 NPN Silicon RF Transistor For low-noise, high-gain broadband amplifier at colector current from 2mA to 28mA fT = 8GHz F = 1.2dB at 900MHz Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFS 483 RHs Q62702-F1574 1/4 = B 2/5

 ..2. Size:560K  infineon
bfs483.pdfpdf_icon

BFS483

BFS483 Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain broadband amplifiers at 4 collector currents from 2 mA to 30 mA 5 3 6 2 1 fT = 8 GHz, NFmin = 0.9 dB at 900 MHz Two (galvanic) internal isolated Transistor in one package For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free package with visib

 9.1. Size:53K  siemens
bfs482.pdfpdf_icon

BFS483

BFS 482 NPN Silicon RF Transistor For low-noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1mA to 20mA. fT = 8GHz F = 1.2dB at 900MHz Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFS 482 RGs Q62702-F1573 1/4 = B

 9.2. Size:53K  siemens
bfs481.pdfpdf_icon

BFS483

BFS 481 NPN Silicon RF Transistor For low-noise, high-gain broadband amplifier at collector currents from 0.5 to 12 mA fT = 8 GHz F = 1.4 dB at 900 MHz Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFS 481 RFs Q62702-F1572 1/4 =

Другие транзисторы: BFS43, BFS44, BFS45, BFS46, BFS46A, BFS480, BFS481, BFS482, D965, BFS50, BFS51, BFS55, BFS55A, BFS57, BFS57P, BFS58, BFS58P