Биполярный транзистор BFT25R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFT25R
Маркировка: V4
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.03 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: SOT23
BFT25R Datasheet (PDF)
bft25a cnv 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFT25ANPN 5 GHz wideband transistorDecember 1997Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 5 GHz wideband transistor BFT25AFEATURES PINNING Low current consumptionPIN DESCRIPTION(100 A - 1 mA)Code: V10 Low noise figure1 base Gold metallization ensures2
bft25 cnv.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFT25NPN 2 GHz wideband transistorProduct specification November 1992NXP Semiconductors Product specificationNPN 2 GHz wideband transistor BFT25DESCRIPTION PINNINGNPN transistor in a plastic SOT23 PIN DESCRIPTIONenvelope.Code: V1pIt is primarily intended for use in RF 1 baselfpage 3low power amplifiers, such as in 2 emitterpo
bft25 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFT25NPN 2 GHz wideband transistorNovember 1992Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 2 GHz wideband transistor BFT25DESCRIPTION PINNINGNPN transistor in a plastic SOT23PIN DESCRIPTIONenvelope.Code: V1pIt is primarily intended for use in RF1 basefpage 3low po
bft25a.pdf
BFT25ANPN 5 GHz wideband transistorRev. 04 6 July 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionThe BFT25A is a silicon NPN transistor, primarily intended for use in RF low poweramplifiers, such as pocket telephones and paging systems with signal frequencies upto 2 GHz.The transistor is encapsulated in a 3-pin plastic SOT23 envelope.1.2 Features Low cur
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050