BFT29. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFT29

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для BFT29

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFT29 даташит

 0.1. Size:10K  semelab
 bft29x.pdf pdf_icon

BFT29

BFT29X Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 5.84 (0.230) 5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) Metal Package. Bipolar NPN Device. VCEO = 80V 0.48 (0.019) 0.41 (0.016) dia. IC = 1A 2.54 (0.100) All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTX

Другие транзисторы: BFT25, BFT25R, BFT26, BFT27, BFT28, BFT28A, BFT28B, BFT28C, SS8050, BFT30, BFT31, BFT32, BFT33, BFT34, BFT35, BFT35A, BFT36