BFT66E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFT66E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.26 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для BFT66E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFT66E даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BFT57, BFT58, BFT59, BFT60, BFT61, BFT62, BFT65, BFT66, TIP32C, BFT66S, BFT67, BFT69, BFT70, BFT71, BFT72, BFT73, BFT74