Биполярный транзистор BFT66S Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BFT66S
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.26 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO72
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам