BFT93. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFT93

Маркировка: X1_X1p

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BFT93

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFT93 даташит

 ..1. Size:41K  philips
 bft93 cnv 2.pdf pdf_icon

BFT93

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFT93 PNP 5 GHz wideband transistor November 1992 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification PNP 5 GHz wideband transistor BFT93 DESCRIPTION PINNING PNP transistor in a plastic SOT23 PIN DESCRIPTION envelope. Code X1p It is primarily intended for use in RF 1 base fpage 3 wideba

 ..2. Size:193K  philips
 bft93 cnv.pdf pdf_icon

BFT93

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFT93 PNP 5 GHz wideband transistor Product specification November 1992 NXP Semiconductors Product specification PNP 5 GHz wideband transistor BFT93 DESCRIPTION PINNING PNP transistor in a plastic SOT23 PIN DESCRIPTION envelope. Code X1p It is primarily intended for use in RF 1 base lfpage 3 wideband amplifiers, such as in aerial 2 emitt

 ..3. Size:58K  siemens
 bft93.pdf pdf_icon

BFT93

BFT 93 PNP Silicon RF Transistor For low distortion broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 2mA up to 20mA ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFT 93 X1s Q62702-F1063 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO

 0.1. Size:1099K  philips
 bft93w.pdf pdf_icon

BFT93

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFT93W PNP 4 GHz wideband transistor Product specification March 1994 Supersedes data of November 1992 NXP Semiconductors Product specification PNP 4 GHz wideband transistor BFT93W FEATURES DESCRIPTION High power gain Silicon PNP transistor in a plastic, 3 handbook, 2 columns SOT323 (S-mini) package. The Gold metallization ensures B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BFT84, BFT85, BFT86, BFT87, BFT91, BFT92, BFT92R, BFT92W, C5198, BFT93R, BFT95, BFT95A, BFT95B, BFT96, BFT96A, BFT97, BFT98