Биполярный транзистор BFT93 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFT93
Маркировка: X1_X1p
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: SOT23
BFT93 Datasheet (PDF)
bft93 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFT93PNP 5 GHz wideband transistorNovember 1992Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationPNP 5 GHz wideband transistor BFT93DESCRIPTION PINNINGPNP transistor in a plastic SOT23PIN DESCRIPTIONenvelope.Code: X1pIt is primarily intended for use in RF1 basefpage 3wideba
bft93 cnv.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFT93PNP 5 GHz wideband transistorProduct specification November 1992NXP Semiconductors Product specificationPNP 5 GHz wideband transistor BFT93DESCRIPTION PINNINGPNP transistor in a plastic SOT23 PIN DESCRIPTIONenvelope.Code: X1pIt is primarily intended for use in RF 1 baselfpage 3wideband amplifiers, such as in aerial 2 emitt
bft93.pdf
BFT 93PNP Silicon RF Transistor For low distortion broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 2mA up to 20mAESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBFT 93 X1s Q62702-F1063 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO
bft93w.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFT93WPNP 4 GHz wideband transistorProduct specification March 1994Supersedes data of November 1992NXP Semiconductors Product specificationPNP 4 GHz wideband transistor BFT93WFEATURES DESCRIPTION High power gain Silicon PNP transistor in a plastic, 3handbook, 2 columnsSOT323 (S-mini) package. The Gold metallization ensures B
bft93w 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFT93WPNP 4 GHz wideband transistorMarch 1994Product specificationSupersedes data of November 1992File under Discrete Semiconductors, SC14Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationPNP 4 GHz wideband transistor BFT93WFEATURES DESCRIPTIONhandbook, 2 columns High power gain Silicon PNP transistor in a plastic, 3
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050