BFV70N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFV70N  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: p*n

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Корпус транзистора: TO116

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFV70N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFV70N даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BFV66, BFV66A, BFV67, BFV68, BFV68A, BFV69, BFV69A, BFV70, D667, BFV71, BFV71N, BFV72, BFV72N, BFV73, BFV73N, BFV75, BFV75N