Биполярный транзистор BFV70N Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BFV70N
   Тип материала: Si
   Полярность: p*n
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Корпус транзистора: TO116
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам