BFX35 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFX35  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFX35

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFX35 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BFX29, BFX30, BFX31, BFX32, BFX33, BFX34, BFX34SM, BFX34T, TIP2955, BFX36, BFX37, BFX37L, BFX38, BFX39, BFX40, BFX41, BFX42