BFX55 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFX55  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFX55

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFX55 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BFX48CSM, BFX48QF, BFX49, BFX49G, BFX50, BFX51, BFX52, BFX53, D667, BFX56, BFX56I, BFX56II, BFX56III, BFX57, BFX57I, BFX57II, BFX57III