Биполярный транзистор BFX57I - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFX57I
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 66
Корпус транзистора: TO12
Другие транзисторы... BFX52 , BFX53 , BFX55 , BFX56 , BFX56I , BFX56II , BFX56III , BFX57 , 2N5551 , BFX57II , BFX57III , BFX58 , BFX58D , BFX58I , BFX58II , BFX58III , BFX59 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050