BFX58III datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFX58III  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 130

Корпус транзистора: TO12

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFX58III

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFX58III даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BFX57, BFX57I, BFX57II, BFX57III, BFX58, BFX58D, BFX58I, BFX58II, 2N5401, BFX59, BFX59F, BFX59R, BFX60, BFX61, BFX62, BFX65, BFX66