BFX60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: BFX60
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.37 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO72
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам