Биполярный транзистор 2N3114 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2N3114
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO5
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2N3114 Datasheet (PDF)
2n3114csm.pdf

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3114CSM High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers, Driver Stages and Signal Processing Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 150V VCEO Collector Emitter V
Другие транзисторы... 2N31 , 2N310 , 2N3107 , 2N3108 , 2N3109 , 2N311 , 2N3110 , 2N3110S , A940 , 2N3114S , 2N3115 , 2N3116 , 2N3117 , 2N3118 , 2N3119 , 2N312 , 2N3120 .
History: T2478 | FN1F4Z | BC817-16L | 2SD1716 | BCR158 | 2N219 | DTA125TKA
History: T2478 | FN1F4Z | BC817-16L | 2SD1716 | BCR158 | 2N219 | DTA125TKA



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent