Справочник транзисторов. 2N3114S

 

Биполярный транзистор 2N3114S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N3114S
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO5
 

 Аналог (замена) для 2N3114S

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3114S Datasheet (PDF)

 8.1. Size:144K  semelab
2n3114csm.pdfpdf_icon

2N3114S

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3114CSM High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers, Driver Stages and Signal Processing Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 150V VCEO Collector Emitter V

 9.1. Size:354K  rca
2n3118.pdfpdf_icon

2N3114S

 9.2. Size:418K  rca
2n3119.pdfpdf_icon

2N3114S

 9.3. Size:143K  microelectronics
2n3107 2n3108 2n3109 2n3110.pdfpdf_icon

2N3114S

Другие транзисторы... 2N310 , 2N3107 , 2N3108 , 2N3109 , 2N311 , 2N3110 , 2N3110S , 2N3114 , 2SC4793 , 2N3115 , 2N3116 , 2N3117 , 2N3118 , 2N3119 , 2N312 , 2N3120 , 2N3121 .

History: 2SA1470R

 

 
Back to Top

 


 
.