2N3114S - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2N3114S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N3114S
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO5

Аналоги (замена) для 2N3114S

2N3114S Datasheet (PDF)

8.1. Size:144K semelab
2n3114csm.pdf

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3114CSM High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers, Driver Stages and Signal Processing Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 150V VCEO Collector Emitter V

9.1. Size:354K rca
2n3118.pdf