Биполярный транзистор BLT80 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLT80
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: SOT223
BLT80 Datasheet (PDF)
..1. Size:82K philips
blt80.pdf
blt80.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLT80UHF power transistor1996 May 09Product specificationSupersedes data of May 1992Philips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLT80FEATURES SMD encapsulation Gold metallization ensures excellent reliability.handbook, halfpage4APPLICATIONS Hand-held radio equipment in the 900 MHzccommunication ban
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050