BLT80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLT80

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для BLT80

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLT80 даташит

 ..1. Size:82K  philips
 blt80.pdf pdf_icon

BLT80

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLT80 UHF power transistor 1996 May 09 Product specification Supersedes data of May 1992 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLT80 FEATURES SMD encapsulation Gold metallization ensures excellent reliability. handbook, halfpage 4 APPLICATIONS Hand-held radio equipment in the 900 MHz c communication ban

Другие транзисторы: BFY92, BFY94, BFY95, BFY99, BFYP99, BFZ10, BJ1A, BLT50, BD333, BLT90, BLT90-SL, BLT91, BLT91-SL, BLT92, BLT92-SL, BLT93-SL, BLU10-12