Биполярный транзистор BLV57 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLV57
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 77 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 27 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2500 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: SPECIAL
BLV57 Datasheet (PDF)
..1. Size:121K philips
blv57.pdf
blv57.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV57UHF linear push-pull powertransistor1998 Feb 09Product specificationSupersedes data of August 1986Philips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV57FEATURES PINNING - SOT161A internally matched input for wideband operation andPIN SYMBOL DESCRIPTIONhigh power gain1 e emitter internal m
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050