Справочник транзисторов. BLV57

 

Биполярный транзистор BLV57 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLV57
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 77 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 27 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2500 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: SPECIAL
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BLV57 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  philips
 blv57.pdf pdf_icon

BLV57

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV57UHF linear push-pull powertransistor1998 Feb 09Product specificationSupersedes data of August 1986Philips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV57FEATURES PINNING - SOT161A internally matched input for wideband operation andPIN SYMBOL DESCRIPTIONhigh power gain1 e emitter internal m

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: KRA108S | SEMZ8

 

 
Back to Top

 


 
.