BLV57. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV57

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 77 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 27 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2500 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: SPECIAL

 Аналоги (замена) для BLV57

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV57 даташит

 ..1. Size:121K  philips
 blv57.pdf pdf_icon

BLV57

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV57 UHF linear push-pull power transistor 1998 Feb 09 Product specification Supersedes data of August 1986 Philips Semiconductors Product specification UHF linear push-pull power transistor BLV57 FEATURES PINNING - SOT161A internally matched input for wideband operation and PIN SYMBOL DESCRIPTION high power gain 1 e emitter internal m

Другие транзисторы: BLV33F, BLV34, BLV34F, BLV36, BLV37, BLV45, BLV45-12, BLV45A, 2SC1815, BLV59, BLV75-12, BLV80-28, BLV90, BLV90-SL, BLV91, BLV91-SL, BLV92