Справочник транзисторов. BLV57

 

Биполярный транзистор BLV57 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLV57
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 77 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 27 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2500 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: SPECIAL
 

 Аналог (замена) для BLV57

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV57 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  philips
 blv57.pdf pdf_icon

BLV57

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV57UHF linear push-pull powertransistor1998 Feb 09Product specificationSupersedes data of August 1986Philips Semiconductors Product specificationUHF linear push-pull power transistor BLV57FEATURES PINNING - SOT161A internally matched input for wideband operation andPIN SYMBOL DESCRIPTIONhigh power gain1 e emitter internal m

Другие транзисторы... BLV33F , BLV34 , BLV34F , BLV36 , BLV37 , BLV45 , BLV45-12 , BLV45A , 2N2222A , BLV59 , BLV75-12 , BLV80-28 , BLV90 , BLV90-SL , BLV91 , BLV91-SL , BLV92 .

 

 
Back to Top

 


 
.