BLV90. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV90

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для BLV90

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV90 даташит

 ..1. Size:54K  philips
 blv90.pdf pdf_icon

BLV90

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV90 UHF power transistor February 1996 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV90 DESCRIPTION FEATURES NPN silicon planar epitaxial transistor designed for use in diffused emitter-ballasting resistors for an optimum mobile radio transmitters in the 900 MHz band. temperature profile. gold

 0.1. Size:99K  philips
 blv909.pdf pdf_icon

BLV90

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D175 BLV909 UHF power transistor 1999 Jun 25 Product specification Supersedes data of 1996 Nov 04 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV909 FEATURES PINNING - SOT409B Emitter ballasting resistors for optimum temperature PIN SYMBOL DESCRIPTION profile 1, 4, 5, 8 e emitter Gold metallization ensures excell

 0.2. Size:105K  philips
 blv904.pdf pdf_icon

BLV90

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV904 UHF power transistor 1997 Jul 15 Product specification Supersedes data of 1996 Feb 08 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV904 FEATURES PINNING - SOT409B Emitter ballasting resistors for optimum PIN DESCRIPTION temperature profile 1, 4, 5, 8 emitter Gold metallization ensures excellent reliability

Другие транзисторы: BLV37, BLV45, BLV45-12, BLV45A, BLV57, BLV59, BLV75-12, BLV80-28, 2SA1837, BLV90-SL, BLV91, BLV91-SL, BLV92, BLV93, BLV94, BLV95, BLV97