Биполярный транзистор BLV90 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLV90
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO128
BLV90 Datasheet (PDF)
blv90.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV90UHF power transistorFebruary 1996Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV90DESCRIPTION FEATURESNPN silicon planar epitaxial transistor designed for use in diffused emitter-ballasting resistors for an optimummobile radio transmitters in the 900 MHz band. temperature profile. gold
blv909.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D175BLV909UHF power transistor1999 Jun 25Product specificationSupersedes data of 1996 Nov 04Philips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV909FEATURES PINNING - SOT409B Emitter ballasting resistors for optimum temperaturePIN SYMBOL DESCRIPTIONprofile1, 4, 5, 8 e emitter Gold metallization ensures excell
blv904.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV904UHF power transistor1997 Jul 15Product specificationSupersedes data of 1996 Feb 08Philips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV904FEATURES PINNING - SOT409B Emitter ballasting resistors for optimumPIN DESCRIPTIONtemperature profile1, 4, 5, 8 emitter Gold metallization ensures excellent reliability
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .