BLV99. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV99

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для BLV99

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV99 даташит

 ..1. Size:58K  philips
 blv99 99-sl cnv 2.pdf pdf_icon

BLV99

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV99/SL UHF power transistor September 1991 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV99/SL FEATURES PIN CONFIGURATION Emitter-ballasting resistors for an optimum temperature profile Gold metallization ensures excellent reliability. halfpage 1 c DESCRIPTION handbook, halfpage 2 3 NPN

Другие транзисторы: BLV91, BLV91-SL, BLV92, BLV93, BLV94, BLV95, BLV97, BLV98, 2SC2625, BLW10, BLW11, BLW12, BLW13, BLW14, BLW15, BLW16, BLW17