BLW76. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLW76

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: M174

 Аналоги (замена) для BLW76

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLW76 даташит

 ..1. Size:90K  philips
 blw76.pdf pdf_icon

BLW76

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW76 HF/VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power transistor BLW76 mismatch conditions. Transistors are DESCRIPTION delivered in matched hFE groups. N-P-N silicon planar epitaxial 1 The transistor has a 2" flange transistor intended for use in class-AB envelope with a ce

Другие транзисторы: BLW67, BLW68, BLW69, BLW70, BLW71, BLW72, BLW73, BLW75, 2N3904, BLW77, BLW78, BLW79, BLW80, BLW81, BLW82, BLW83, BLW84