BLW78. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLW78

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 135 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: M174

 Аналоги (замена) для BLW78

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLW78 даташит

 ..1. Size:83K  philips
 blw78.pdf pdf_icon

BLW78

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW78 HF/VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power transistor BLW78 1 It has a 2" flange envelope with a DESCRIPTION ceramic cap. All leads are isolated N-P-N silicon planar epitaxial from the flange. transistor intended for use in class-A, AB or B operated mobile, indust

Другие транзисторы: BLW69, BLW70, BLW71, BLW72, BLW73, BLW75, BLW76, BLW77, 2N5551, BLW79, BLW80, BLW81, BLW82, BLW83, BLW84, BLW85, BLW86