Биполярный транзистор BLW89 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLW89
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 9.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.32 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO131
BLW89 Datasheet (PDF)
0.1. Size:81K philips
blw898.pdf
blw898.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW898UHF linear power transistor1996 Jul 16Product specificationSupersedes data of 1995 Oct 04Philips Semiconductors Product specificationUHF linear power transistor BLW898FEATURES PINNING SOT171A Internal input matching for wideband operation and highPIN DESCRIPTIONpower gain1 emitter Polysilicon emitter ballasting resistors
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2STR1160
History: 2STR1160
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050