BLW89. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLW89

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 9.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.32 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO131

 Аналоги (замена) для BLW89

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLW89 даташит

 0.1. Size:81K  philips
 blw898.pdf pdf_icon

BLW89

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW898 UHF linear power transistor 1996 Jul 16 Product specification Supersedes data of 1995 Oct 04 Philips Semiconductors Product specification UHF linear power transistor BLW898 FEATURES PINNING SOT171A Internal input matching for wideband operation and high PIN DESCRIPTION power gain 1 emitter Polysilicon emitter ballasting resistors

Другие транзисторы: BLW80, BLW81, BLW82, BLW83, BLW84, BLW85, BLW86, BLW87, 2SA1943, BLW90, BLW91, BLW92, BLW93, BLW94, BLW95, BLW96, BLW98