2N3149. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3149

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO61

 Аналоги (замена) для 2N3149

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3149 даташит

 9.1. Size:387K  general electric
 2n313 2n314.pdf pdf_icon

2N3149

Другие транзисторы: 2N3141, 2N3142, 2N3143, 2N3144, 2N3145, 2N3146, 2N3147, 2N3148, BC549, 2N315, 2N3150, 2N3151, 2N3152, 2N3153, 2N3154, 2N3155, 2N3156