BLY88. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLY88

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 29 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO61

 Аналоги (замена) для BLY88

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLY88 даташит

 0.1. Size:63K  philips
 bly88c cnv 2.pdf pdf_icon

BLY88

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLY88C VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLY88C It has a 3/8" capstan envelope with a DESCRIPTION ceramic cap. All leads are isolated N-P-N silicon planar epitaxial from the stud. transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, h.f. and v.h.f

Другие транзисторы: BLY82, BLY83, BLY84, BLY85, BLY86, BLY87, BLY87A, BLY87C, A42, BLY88A, BLY88C, BLY88T, BLY89, BLY89A, BLY89C, BLY90, BLY91