Биполярный транзистор BLY88T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLY88T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 29 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: M162
BLY88T Datasheet (PDF)
9.1. Size:63K philips
bly88c cnv 2.pdf
bly88c cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLY88CVHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLY88CIt has a 3/8" capstan envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the stud.transistor intended for use in class-A,B and C operated mobile, h.f. andv.h.f
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050