BLY88T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLY88T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 29 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: M162

 Аналоги (замена) для BLY88T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLY88T даташит

 9.1. Size:63K  philips
 bly88c cnv 2.pdf pdf_icon

BLY88T

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLY88C VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLY88C It has a 3/8" capstan envelope with a DESCRIPTION ceramic cap. All leads are isolated N-P-N silicon planar epitaxial from the stud. transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, h.f. and v.h.f

Другие транзисторы: BLY85, BLY86, BLY87, BLY87A, BLY87C, BLY88, BLY88A, BLY88C, BDT88, BLY89, BLY89A, BLY89C, BLY90, BLY91, BLY91A, BLY91C, BLY92