Справочник транзисторов. BSP20AT1

 

Биполярный транзистор BSP20AT1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BSP20AT1
   Маркировка: SP20A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для BSP20AT1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSP20AT1 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:119K  motorola
bsp19at bsp20a.pdfpdf_icon

BSP20AT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BSP19AT1/DBSP19AT1NPN SiliconBSP20AT1Epitaxial TransistorMotorola Preferred DevicesThis family of NPN Silicon Epitaxial transistors is designed for use as a generalpurpose amplifier and in switching applications. The device is housed in the SOT-223package which is designed for medium power surface mount applications

 8.2. Size:39K  kexin
bsp20a.pdfpdf_icon

BSP20AT1

SMD Type TransistorsNPN Silicon Epitaxial TransistorBSP20ASOT-223Unit: mm3.50+0.26.50+0.2 -0.2-0.2Features0.90+0.2-0.2High Voltage: V(BR)CEO of 250 and 350 Volts.3.00+0.1-0.17.00+0.3-0.3Available in 12 mm Tape and Reel41 Base2 Collector1 2 30.70+0.1-0.13 Emitter2.94.64 CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit

 9.1. Size:65K  philips
bsp205.pdfpdf_icon

BSP20AT1

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP205P-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationP-channel enhancement mode verticalBSP205D-MOS transistorDESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAP-channel enhancement modeDrain-source voltage -VDS max. 60 Vvertical D

 9.2. Size:48K  philips
bsp19 bsp20.pdfpdf_icon

BSP20AT1

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETdbook, halfpageM3D087BSP19; BSP20NPN high-voltage transistors1999 Jun 01Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 03Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistors BSP19; BSP20FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 350 V).1 base2, 4 collectorAPPLICATION

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC3771-2 | 2N5414CECC | TIP145T

 

 
Back to Top

 


 
.