Биполярный транзистор BSR12R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BSR12R
Маркировка: B8_B81
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT23
BSR12R Datasheet (PDF)
9.1. Size:61K philips
bsr12.pdf
bsr12.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BSR12PNP switching transistorProduct specification 1999 Jul 23Philips Semiconductors Product specificationPNP switching transistor BSR12FEATURES Low current (max. 100 mA)handbook, halfpage3 Low voltage (max. 15 V).31APPLICATIONS High-speed, saturated switching applications for2industrial service
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050