BSR12R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSR12R

Маркировка: B8_B81

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BSR12R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSR12R даташит

 9.1. Size:61K  philips
 bsr12.pdf pdf_icon

BSR12R

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BSR12 PNP switching transistor Product specification 1999 Jul 23 Philips Semiconductors Product specification PNP switching transistor BSR12 FEATURES Low current (max. 100 mA) handbook, halfpage 3 Low voltage (max. 15 V). 3 1 APPLICATIONS High-speed, saturated switching applications for 2 industrial service

Другие транзисторы: BSP52T1, BSP52T3, BSP60, BSP61, BSP62, BSP62T1, BSP62T3, BSR12, TIP120, BSR13, BSR13R, BSR14, BSR14R, BSR15, BSR15R, BSR16, BSR16R