BSR52 - описание и поиск аналогов

 

BSR52. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSR52

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4000

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BSR52

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSR52 даташит

 ..1. Size:52K  philips
 bsr52.pdf pdf_icon

BSR52

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BSR52 NPN Darlington transistor 1999 Apr 26 Product specification Supersedes data of 1997 May 12 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistor BSR52 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V) 1 base Integrated diode and resistor. 2 collector 3 em

Другие транзисторы: BSR32, BSR33, BSR40, BSR41, BSR42, BSR43, BSR50, BSR51, TIP42C, BSR55, BSR59, BSR60, BSR61, BSR62, BSS10, BSS11, BSS12

 

 

 

 

↑ Back to Top
.