Биполярный транзистор BSR62 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BSR62
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4000
Корпус транзистора: TO92
BSR62 Datasheet (PDF)
..1. Size:52K philips
bsr62.pdf
bsr62.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BSR62PNP Darlington transistor1999 Apr 26Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 22Philips Semiconductors Product specificationPNP Darlington transistor BSR62FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V)1 base Integrated diode and resistor.2 collector3 em
Другие транзисторы... BSR43 , BSR50 , BSR51 , BSR52 , BSR55 , BSR59 , BSR60 , BSR61 , MJE340 , BSS10 , BSS11 , BSS12 , BSS13 , BSS14 , BSS15 , BSS16 , BSS17 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050