BSS45 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BSS45 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSS45
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.87 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 85 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для BSS45

 

BSS45 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:49K  philips
pbss4540z 1.pdfpdf_icon

BSS45

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D087 PBSS4540Z NPN medium power transistor Preliminary specification 1999 Aug 04 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN medium power transistor PBSS4540Z FEATURES PINNING High current (max. 10 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V) 1 base Low VCEsat. 2 collector 3 emitter APPLICATIONS 4 coll

 0.2. Size:199K  philips
pbss4540x.pdfpdf_icon

BSS45

 0.3. Size:199K  philips
pbss4520x.pdfpdf_icon

BSS45

 0.4. Size:168K  philips
pbss4580pa.pdfpdf_icon

BSS45

PBSS4580PA 80 V, 5.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 15 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. PNP complement PBSS5580PA. 1.2 Features and benefi

Другие транзисторы... BSS37 , BSS38 , BSS39 , BSS40 , BSS41 , BSS42 , BSS43 , BSS44 , D880 , BSS46 , BSS47 , BSS48 , BSS49 , BSS50 , BSS51 , BSS52 , BSS53 .

 

 
Back to Top

 


 
.