Биполярный транзистор BSS46 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BSS46
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.87 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 85 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO39
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BSS46 Datasheet (PDF)
pbss4612pa.pdf

PBSS4612PA12 V, 6 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 7 May 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability.PNP complement: PBSS5612PA.1.2 Features and benefits
pbss4620pa.pdf

PBSS4620PA20 V, 6 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 18 May 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability.PNP complement: PBSS5620PA.1.2 Features and benefits
pbss4630pa.pdf

PBSS4630PA30 V, 6 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 6 May 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability.PNP complement: PBSS5630PA.1.2 Features and benefits
pbss4612pa.pdf

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: TBC546 | CX954E | MMBR4957LT3 | BSY83 | FX4960 | DC8550D | HS6010
History: TBC546 | CX954E | MMBR4957LT3 | BSY83 | FX4960 | DC8550D | HS6010



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor