BSS60 - описание и поиск аналогов

 

BSS60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSS60

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4000

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для BSS60

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSS60 даташит

 0.1. Size:410K  infineon
 bss606n.pdf pdf_icon

BSS60

BSS606N OptiMOS -3 Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS 60 V N-channel RDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement mode VGS=4.5 V 90 Logic level (4.5V rated) ID 3.2 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SOT-89 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant 4 1 2 3 Type Package Tape and Reel Information Marking Halog

 0.2. Size:62K  comset
 bss60a bss61a bss62a.pdf pdf_icon

BSS60

NPN BSS60A-61A-62A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS They are PNP transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . NPN complements are the BSS50A 51A 52A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Valu

 0.3. Size:3991K  cn tech public
 bss606n-p.pdf pdf_icon

BSS60

Другие транзисторы: BSS54, BSS54A, BSS54B, BSS55, BSS55A, BSS55B, BSS56, BSS59, 2N2907, BSS61, BSS62, BSS63, BSS63L, BSS64, BSS64R, BSS65, BSS65R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.