Биполярный транзистор 2N3169 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N3169
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
Корпус транзистора: TO53
2N3169 Datasheet (PDF)
NO PDF!
Другие транзисторы... 2N3161 , 2N3162 , 2N3163 , 2N3164 , 2N3165 , 2N3166 , 2N3167 , 2N3168 , BD139 , 2N316A , 2N317 , 2N3170 , 2N3171 , 2N3172 , 2N3173 , 2N3174 , 2N3175 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050
