BST15 - описание и поиск аналогов

 

BST15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BST15

Маркировка: BT1

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для BST15

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BST15 даташит

 ..1. Size:46K  philips
 bst15 bst16 4.pdf pdf_icon

BST15

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D109 BST15; BST16 PNP high-voltage transistors 1999 Apr 26 Product specification Supersedes data of 1998 Aug 03 Philips Semiconductors Product specification PNP high-voltage transistors BST15; BST16 FEATURES PINNING Low current (max. 200 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 emitter 2 collector APPLICATIONS

 ..2. Size:12K  diodes
 bst15.pdf pdf_icon

BST15

SOT89 PNP SILICON PLANAR BST15 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR ISSUE 3 FEBRUARY 1996 FEATURES * High VCEO C * Low saturation voltage COMPLEMENTARY TYPE BST40 E PARTMARKING DETAIL BT1 C B SOT89 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Collector-Base Voltage VCBO -200 V Collector-Emitter Voltage VCEO -200 V Emitter-Base Voltage VEBO -4 V Peak Pulse Current ICM

Другие транзисторы: BSS81B, BSS81C, BSS82, BSS82B, BSS82BL, BSS82C, BSS82CL, BSS99, 2SD1047, BST16, BST39, BST40, BST50, BST51, BST52, BST60, BST61

 

 

 

 

↑ Back to Top
.