Биполярный транзистор BST40
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BST40
Маркировка: AT2
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора:
SOT89
Аналоги (замена) для BST40
BST40
Datasheet (PDF)
..1. Size:167K nxp
bst39 bst40.pdf Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
..2. Size:12K diodes
bst40.pdf SOT89 NPN SILICON PLANARBST40HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 3 JANUARY 1996 COMPLEMENTARY TYPE BST15CPARTMAKING DETAIL AT2ECBSOT89ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITCollector-Base Voltage VCBO 300 VCollector-Emitter Voltage VCEO 250 VEmitter-Base Voltage VEBO 5VPeak Pulse Current ICM 1AContinuous Collector Current IC 500 mAPower Diss
..3. Size:340K htsemi
bst39 bst40.pdf BST39,BST40 TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURES Low Current1. BASE High Voltage2. COLLECTOR APPLICATIONS General Purpose Switching and Amplification 3. EMITTER MARKING:BCT39:AT1 BCT40:AT2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitBST39 400VCBO Collector-Base Voltage V BST40 300Collector-Emitter Voltage BST39 350VCEO V
0.1. Size:48K philips
bst39-bst40 4.pdf DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D109BST39; BST40NPN high-voltage transistorsProduct specification 2000 Jul 03Supersedes data of 1999 Apr 26Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistors BST39; BST40FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 350 V).1 emitter2 collectorAPPLICATIONS
Другие транзисторы... 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, 2SA1804R
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, TIP42
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
, 2SA1811
, 2SA1815
, 2SA1815-3
, 2SA1815-4
.