BST40. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BST40
Маркировка: AT2
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для BST40
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BST40 даташит
bst39 bst40.pdf
Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
bst40.pdf
SOT89 NPN SILICON PLANAR BST40 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR ISSUE 3 JANUARY 1996 COMPLEMENTARY TYPE BST15 C PARTMAKING DETAIL AT2 E C B SOT89 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Collector-Base Voltage VCBO 300 V Collector-Emitter Voltage VCEO 250 V Emitter-Base Voltage VEBO 5V Peak Pulse Current ICM 1A Continuous Collector Current IC 500 mA Power Diss
bst39 bst40.pdf
BST39,BST40 TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURES Low Current 1. BASE High Voltage 2. COLLECTOR APPLICATIONS General Purpose Switching and Amplification 3. EMITTER MARKING BCT39 AT1 BCT40 AT2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit BST39 400 VCBO Collector-Base Voltage V BST40 300 Collector-Emitter Voltage BST39 350 VCEO V
bst39-bst40 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D109 BST39; BST40 NPN high-voltage transistors Product specification 2000 Jul 03 Supersedes data of 1999 Apr 26 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BST39; BST40 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 350 V). 1 emitter 2 collector APPLICATIONS
Другие транзисторы: BSS82B, BSS82BL, BSS82C, BSS82CL, BSS99, BST15, BST16, BST39, BC327, BST50, BST51, BST52, BST60, BST61, BST62, BSV10, BSV10-10
History: BSS20 | 2SC3253
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor




