2N317. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N317

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N317

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N317 даташит

 0.1. Size:12K  semelab
 2n3174.pdf pdf_icon

2N317

2N3174 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar PNP Device. 3 VCEO = 100V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 3A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a

 0.2. Size:196K  inchange semiconductor
 2n3171h.pdf pdf_icon

2N317

isc Silicon PNP Power Transistor 2N3171H DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= -0.75V(Max)@ I = -1A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Be processed in accordance with the requirements of BS, CECC,and JAN,JANTX and JANTXV and JAN specifications. ABSOLUTE MAXIM

 0.3. Size:173K  inchange semiconductor
 2n3173.pdf pdf_icon

2N317

isc Silicon PNP Power Transistor 2N3173 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= -0.75V(Max)@ I = -1A CE(sat C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS All semelab hermetically sealed products,can be processed in accordance with the requirements of BS,C

 0.4. Size:173K  inchange semiconductor
 2n3172.pdf pdf_icon

2N317

isc Silicon PNP Power Transistor 2N3172 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= -0.75V(Max)@ I = -1A CE(sat C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS All semelab hermetically sealed products,can be processed in accordance with the requirements of BS,C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N3163, 2N3164, 2N3165, 2N3166, 2N3167, 2N3168, 2N3169, 2N316A, 2SC5200, 2N3170, 2N3171, 2N3172, 2N3173, 2N3174, 2N3175, 2N3176, 2N3177