BST51 - описание и поиск аналогов

 

BST51. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BST51

Маркировка: AS2

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для BST51

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BST51 даташит

 ..1. Size:51K  philips
 bst50 bst51 bst52 3.pdf pdf_icon

BST51

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D109 BST50; BST51; BST52 NPN Darlington transistors 1999 Apr 26 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 16 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistors BST50; BST51; BST52 FEATURES PINNING High current (max. 0.5 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V) 1 emitter Integrated dio

Другие транзисторы: BSS82C, BSS82CL, BSS99, BST15, BST16, BST39, BST40, BST50, S8550, BST52, BST60, BST61, BST62, BSV10, BSV10-10, BSV10-16, BSV10-6

 

 

 

 

↑ Back to Top
.