Справочник транзисторов. BSV16-10

 

Биполярный транзистор BSV16-10 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BSV16-10
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 63
   Корпус транзистора: TO39
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BSV16-10 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:53K  philips
 bsv15 bsv16 bsv17 cnv 2.pdf pdf_icon

BSV16-10

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D111BSV15; BSV16; BSV17PNP medium power transistors1997 Apr 22Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP medium power transistors BSV15; BSV16; BSV17FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V)

 9.2. Size:90K  cdil
 bsv15 bsv16 bsv17.pdf pdf_icon

BSV16-10

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BSV15BSV16BSV17TO- 39ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL BSV15 BSV16 BSV17 UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 40 60 80 VCollector -Emitter Voltage VCES 40 60 90 VEmitter -Base Voltage VEBO 5.0 5.0 5.0 VCollector Current (DC) IC 1.0 ABa

Другие транзисторы... BSV12-10 , BSV12-16 , BSV12-6 , BSV15 , BSV15-10 , BSV15-16 , BSV15-6 , BSV16 , TIP127 , BSV16-16 , BSV16-6 , BSV17 , BSV17-10 , BSV17-16 , BSV17-6 , BSV19 , BSV21 .

 

 
Back to Top

 


 
.