Справочник транзисторов. BSV52R

 

Биполярный транзистор BSV52R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BSV52R
   Маркировка: B4
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO236
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BSV52R Datasheet (PDF)

 9.1. Size:79K  motorola
bsv52lt1.pdfpdf_icon

BSV52R

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BSV52LT1/DSwitching TransistorBSV52LT1COLLECTORNPN Silicon31BASE23EMITTER1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 12 VdcCASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)CollectorBase Voltage VCBO 20 VdcCollector Current Continuous IC 100 mAdcTHERMAL CHARACTER

 9.2. Size:50K  philips
bsv52 3.pdfpdf_icon

BSV52R

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BSV52NPN switching transistor1999 Apr 15Product specificationSupersedes data of 1997 May 07Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistor BSV52FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 12 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector High speed

 9.3. Size:46K  st
bsv52 so2369 so2369a.pdfpdf_icon

BSV52R

BSV52SO2369/SO2369ASMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSType MarkingBSV52 B2SO2369 N11SO2369A N81 SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN2TRANSISTORS MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR3APPLICATION IN SURFACE MOUNTING1CIRCUITS LOW CURRENT, FAST SWITCHINGSOT-23APPLICATIONS.INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitSO2369/A BSV52V Collector-Emi

 9.4. Size:89K  fairchild semi
bsv52.pdfpdf_icon

BSV52R

BSV52CESOT-23BMark: B2NPN Switching TransistorThis device is designed for high speed saturated switching atcollector currents of 10 mA to 100 mA. Sourced from Process 21.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 12 VVCES Collector-Base Voltage 20 VVEBO Emitter-Base Voltage 5.0 VIC Collector C

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MPQ4275 | FFB3904 | 2SC4053 | MPS3903R | 2N301W | ECG352 | BD106

 

 
Back to Top

 


 
.