BSV52R - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BSV52R
Маркировка: B4
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO236
Аналоги (замена) для BSV52R
BSV52R - технические параметры
bsv52lt1.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BSV52LT1/D Switching Transistor BSV52LT1 COLLECTOR NPN Silicon 3 1 BASE 2 3 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 12 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 SOT 23 (TO 236AB) Collector Base Voltage VCBO 20 Vdc Collector Current Continuous IC 100 mAdc THERMAL CHARACTER
bsv52 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BSV52 NPN switching transistor 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 May 07 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistor BSV52 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 12 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector High speed
bsv52 so2369 so2369a.pdf
BSV52 SO2369/SO2369A SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS Type Marking BSV52 B2 SO2369 N11 SO2369A N81 SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN 2 TRANSISTORS MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR 3 APPLICATION IN SURFACE MOUNTING 1 CIRCUITS LOW CURRENT, FAST SWITCHING SOT-23 APPLICATIONS. INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit SO2369/A BSV52 V Collector-Emi
bsv52.pdf
BSV52 C E SOT-23 B Mark B2 NPN Switching Transistor This device is designed for high speed saturated switching at collector currents of 10 mA to 100 mA. Sourced from Process 21. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 12 V VCES Collector-Base Voltage 20 V VEBO Emitter-Base Voltage 5.0 V IC Collector C
Другие транзисторы... BSV49 , BSV49A , BSV49B , BSV50E , BSV50F , BSV50G , BSV51 , BSV52 , 2SD718 , BSV53 , BSV53P , BSV54 , BSV54P , BSV55 , BSV55A , BSV55AP , BSV55P .
History: MMBT3904LT3G | 2SD1362
History: MMBT3904LT3G | 2SD1362
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468









