BSV64 - описание и поиск аналогов

 

BSV64 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSV64
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.87 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для BSV64

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSV64 - технические параметры

 ..1. Size:50K  philips
 bsv64 3.pdf pdf_icon

BSV64

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D110 BSV64 NPN medium power transistor 1997 Sep 04 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 21 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistor BSV64 FEATURES PINNING High current (max. 2 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V) 1 emitter Good high curren

 0.1. Size:10K  semelab
 bsv64smd.pdf pdf_icon

BSV64

BSV64SMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 60V IC = 5A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (0.

Другие транзисторы... BSV55A , BSV55AP , BSV55P , BSV59 , BSV60 , BSV61 , BSV62 , BSV63 , 2SA1837 , BSV64SM , BSV65 , BSV65A , BSV65B , BSV65FA , BSV65FB , BSV65RA , BSV65RB .

History: DXTN26070CY

 

 
Back to Top

 


 
.