Биполярный транзистор BSW68 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BSW68
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO39
BSW68 Datasheet (PDF)
bsw66 bsw67 bsw68 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D111BSW66A; BSW67A; BSW68ANPN switching transistors1997 May 05Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistors BSW66A; BSW67A; BSW68AFEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 150
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050