BSX33 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSX33  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BSX33

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSX33 даташит

 0.1. Size:10K  semelab
 bsx33csm.pdf pdf_icon

BSX33

BSX33CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar NPN Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 55V A = (0.04 0.004)

 0.2. Size:10K  semelab
 bsx33dcsm.pdf pdf_icon

BSX33

Другие транзисторы: BSX24, BSX25, BSX26, BSX27, BSX28, BSX29, BSX30, BSX32, BD136, BSX35, BSX36, BSX36CSM, BSX38, BSX38A, BSX38B, BSX39, BSX40