BSX36 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSX36  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BSX36

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSX36 даташит

 0.1. Size:10K  semelab
 bsx36dcsm.pdf pdf_icon

BSX36

BSX36DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar PNP Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 40V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.5A C (0.05

Другие транзисторы: BSX26, BSX27, BSX28, BSX29, BSX30, BSX32, BSX33, BSX35, B647, BSX36CSM, BSX38, BSX38A, BSX38B, BSX39, BSX40, BSX41, BSX44