BSX52B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: BSX52B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: TO18
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам