BSX61 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSX61  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BSX61

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSX61 даташит

 ..1. Size:51K  philips
bsx59 bsx61.pdfpdf_icon

BSX61

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BSX59; BSX61 NPN switching transistors 1997 May 22 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistors BSX59; BSX61 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V). 1 emitter 2 base

Другие транзисторы: BSX53A, BSX53B, BSX54, BSX54A, BSX54B, BSX56, BSX59, BSX60, S9014, BSX62, BSX62-10, BSX62-16, BSX62-6, BSX62B, BSX62C, BSX62D, BSX62SM