Справочник транзисторов. 2N3200

 

Биполярный транзистор 2N3200 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N3200
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO59
 

 Аналог (замена) для 2N3200

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3200 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:327K  general electric
 2n319 2n320 2n321.pdf pdf_icon

2N3200

 9.2. Size:113K  st
 2n2894 2n3209.pdf pdf_icon

2N3200

 9.3. Size:11K  semelab
 2n3202.pdf pdf_icon

2N3200

2N3202Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar PNP Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 40V dia.IC = 3A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3

 9.4. Size:24K  semelab
 2n3209x.pdf pdf_icon

2N3200

2N3209X MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) 5.84 (0.230) SWITCHING 5.31 (0.209)TRANSISTOR 4.95 (0.195)4.52 (0.178)FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR SCREENING OPTIONS AVAILABLE 0.48 (0.019) SPACE QUALITY LEVEL OPTIONS 0.41 (0.016) HIGH SPEED SATURATED SWITCHING dia. APPLI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2N32 , 2N320 , TIP31C , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2N3208 .

 

 
Back to Top

 


 
.