BU103A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU103A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для BU103A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU103A даташит

 ..1. Size:109K  jdsemi
 bu103a.pdf pdf_icon

BU103A

R BU103A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2 F

 ..2. Size:207K  inchange semiconductor
 bu103a.pdf pdf_icon

BU103A

isc Silicon NPN Power Transistor BU103A DESCRIPTION Continuous Collector Current-I = 1A C Collector Power Dissipation- P = 30W @T = 25 C C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for TV vertical applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 120 V

 0.1. Size:111K  jdsemi
 bu103ad.pdf pdf_icon

BU103A

R BU103AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2

 0.2. Size:105K  jdsemi
 bu103ah.pdf pdf_icon

BU103A

R BU103AH www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Charger and Switch-mode power supplies 2 2 2 FEATURES 2 High voltage capa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BT930, BT930T, BU100, BU1008ADF, BU1008AF, BU100A, BU102, BU103, 2SA1837, BU104, BU104D, BU104DP, BU104P, BU105, BU105-02, BU106, BU107